集成电路微电子电位的精密光测方法

半导体在电场中具有吸收光谱的性能,其吸收光谱带的边界朝着光子能级较低的方向移动(弗朗兹—凯尔蒂西效应)。利用这个原理,借助于激光探测器等,就可精确测量出集成电路微电子元件中各信号的电位。虽然单色光的光子能级E_(Ph)小于或约等于半导体禁带宽度E_B。