高频溅射ZnO:Al透明导电薄膜的研究
被引量:7
同被引文献35
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1王成.电致发光新契机──厚膜介质[J].光电子技术,1997,17(2):140-143. 被引量:2
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2张志林,蒋雪茵,许少鸿,齐藤觉,长友隆男,大本修.以BBOT为电子传输层的聚合物蓝色发光二极管[J].发光学报,1994,15(4):363-365. 被引量:7
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3陈建荣,蔡昆.SrS:Ce蓝色薄膜电致发光[J].薄膜科学与技术,1995,8(1):25-31. 被引量:6
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4赵伟明,张志林,蒋雪茵,刘祖刚,许少鸿.陶瓷基片薄膜电致发光器件[J].发光学报,1995,16(3):256-260. 被引量:8
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5赵伟明,刘祖刚,张志林,蒋雪茵,许少鸿.ZnS:Mn交流薄膜电致发光陶瓷灯[J].光电子技术,1995,15(4):274-279. 被引量:3
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6唐春玖,赵伟明,王林军,陈忠传,蒋雪茵,张志林,许少鸿.变色的ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn薄膜电致发光的研究[J].发光学报,1996,17(4):317-321. 被引量:5
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7Tang C W,Illinois,1995年,95卷,2期,1215页
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8Zhang C,J Appl Phys,1993年,73卷,10期,5177页
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9Tang C W,Appl Phys Lett,1987年,51卷,12期,913页
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10刘祖刚,J Phys Condensed Matt,1996年,8卷,18期,3221页
引证文献7
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2刘祖刚,陆慧庆,赵伟明,姬荣斌,张志林,许少鸿.有机薄膜电致发光器件载流子注入和传输性质的研究[J].发光学报,1997,18(1):59-64. 被引量:3
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3唐春玖,刘祖刚,赵伟明,朱文清,蒋雪茵,张志林,许少鸿.红色ZnSSm,Cl陶瓷厚膜电致发光器件[J].发光学报,1998,19(4):364-365. 被引量:1
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4唐春玖,刘祖刚,赵伟明,王林军,蒋雪茵,张志林,许少鸿.陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究[J].光学学报,1999,19(3):402-406. 被引量:10
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5唐春玖,朱文清,赵伟明,刘祖刚,蒋雪茵,张志林,许少鸿.以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件[J].光学学报,1999,19(10):1430-1432. 被引量:6
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6朱文清,刘祖刚,唐春玖,赵伟明,蒋雪茵,张志林,许少鸿.陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件[J].半导体光电,2001,22(2):82-86. 被引量:5
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7朱文清,刘祖刚,唐春玖,赵伟明,蒋雪茵,张志林,许少鸿.以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件[J].功能材料与器件学报,2001,7(4):360-364.
二级引证文献20
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2张竞.基层干部档案信息管理工作要夯实基础[J].山东档案,2006(5):42-43.
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3薛唯,周代兵,蒋玉蓉,喻志农,卢维强.无机厚膜电致发光显示器件的研究[J].北京理工大学学报,2005,25(2):131-133. 被引量:2
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4朱文清.陶瓷厚膜介质电致发光器件特点和最新进展[J].半导体光电,2005,26(2):83-86. 被引量:1
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5凌青,于长凤,朱小平,张脉官,戴静.电致发光用高介低损耗钛酸锶陶瓷基片的制备[J].中国陶瓷工业,2005,12(5):9-12. 被引量:1
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6蒋玉蓉,周代兵,薛唯,喻志农,卢维强.薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响[J].液晶与显示,2005,20(6):472-475. 被引量:1
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7复合材料设计制造软件在亚洲畅销[J].玻璃钢,2006(1):47-47.
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9管世振,杨健,朱宁.橙黄色电致发光器件发光特性的研究[J].天津理工大学学报,2007,23(4):34-36. 被引量:1
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10刘祖刚,赵伟明,唐春玖,王林军,蒋雪茵,张志林,许少鸿.电压调节变色的有机薄膜电致发光器件[J].功能材料与器件学报,1997,3(2):119-123.
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1陈伟,王玉霞,蔡维理,汤洪高,石磊,卢江,胡克良,周贵恩,赵亚盾,钱逸泰.高频溅射碳化硅薄膜的退火效应[J].Journal of Semiconductors,1996,17(5):376-379. 被引量:4
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2王雷,张培亮,刘静,王志忠.高频溅射SiO_2膜掩蔽GaAs和AlGaAs/GaAs中Zn扩散的研究[J].电子学报,1990,18(4):122-124.
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3胡学骏,赵永龙,张江陵.利用高频溅射刻蚀光刻伺服盘工艺参数的确定[J].微细加工技术,1993(3):52-57.
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4全宝富,平田光寿.伽伐尼电池式气敏元件的研制[J].仪表技术与传感器,1995(3):8-10.
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