一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法

A new Method for Measuring Boundary Charge Density of the Planar Semiconductor Devices

提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。给出了用此方法求得几种常用保护材料的带电电性和电行量值。