GaN的高速磁控反应离子蚀刻
出处
《发光快报》
CSCD
1995年第5期36-37,共2页
-
1黄琪.氯—氢混合物中InP的RIBE[J].等离子体应用技术快报,1996(3):6-7.
-
2文允监.在磁控微波等离子体中蚀刻微细接触孔[J].等离子体应用技术快报,1995(10):3-4.
-
3笑生.InP通路孔的RIE[J].等离子体应用技术快报,1995(4):6-7.
-
4普丁.蚀刻化学对SF6基中钨蚀刻的影响[J].等离子体应用技术快报,1996(3):18-19.
-
5笑生.用Cl2对InAlAs／InP进行RBIBE[J].等离子体应用技术快报,1996(3):4-5.
-
6袁晓源.等离子体处理的方法[J].等离子体应用技术快报,1995(5):3-4.
-
7宏声.蚀刻技术的发展现状[J].等离子体应用技术快报,1995(6):1-3.
-
8童志义.国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势[J].电子工业专用设备,1992,21(1):13-25. 被引量：1
-
9孙再吉.采用陶瓷衬底来提高GaN HEMT性能[J].半导体信息,2006,0(3):14-14.
-
10杨绍群,沈祖贻.磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨[J].真空,1991,28(1):20-26. 被引量：6
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