ZnSe p型掺杂新技术
出处
《发光快报》
CSCD
1995年第6期28-30,共3页
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1毕叔和.在Si（111）上外延生长ZnSe[J].电子材料快报,1999(4):5-6.
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2王吉丰,黄锡珉,张志舜,徐叙.Znse：Al电学性能的研究[J].发光学报,1995,16(2):149-152. 被引量：2
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3孟宪棫.室温下ZnSe蓝色发光的衰减时间[J].发光快报,1993,14(3):38-40.
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4ZnSe量子阱线结构的光致发光[J].发光快报,1994,15(3):15-17.
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5p—型ZnSe：N薄膜的电学特性[J].发光快报,1994,15(2):39-41.
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6陈云良,崔捷,沈爱东,屠玉珍,王海龙.N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长[J].量子电子学,1993,10(1):68-71.
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7刘卫民.P—型ZnSe电学接触的电流—电压特性[J].发光快报,1995,16(1):27-30.
-
8宽带隙半导体材料首次用于制作新型太阳能电池[J].军民两用技术与产品,2011(6):34-34.
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9肖立娟,赵鹤平,李长山,郝佳伟.p型掺杂ZnO薄膜的研究进展[J].真空,2012,49(4):78-82. 被引量：1
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10崔捷,王海龙,干福熹,黄旭光,蔡志岗,李庆行,余振新.Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性[J].科学通报,1991,36(24):1853-1855. 被引量：1
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