在Hg1—xCdxTe上生长的阳极化碲化物薄膜及其XPS特性

描述了用阳极碲化过程在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ上生长纯Ｔｅ膜，此过程要求２个阶段，首先生长阳极化硫化物／氧化物膜，第二步将此膜转化为阳极化碲化物膜，ＸＰＳ研究认为阳极化硫化物／氧化物膜完全转化为阳极化碲化物膜是可能的，控制初始膜中硫和氧的浓度，即发控制阳极化生长碲化物薄膜中的碲浓度。