C60在特殊环境中的发光性质
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1995年第A01期80-80,共1页
Laser & Optoelectronics Progress
-
1杨国伟.C_（60）发光器件与异质结[J].微细加工技术,1996(1):76-78.
-
2凌勇,薛其坤,陈皓明,樱井利夫.C_(60)分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究[J].物理学报,1997,46(8):1559-1566.
-
3霍夫曼.固体C60[J].物理通报,1992,13(4):1-10. 被引量：1
-
4纳米材料及技术在电子领域中的应用[J].新材料产业,2001(8):55-57.
-
5阎锋,鲍希茂,吴晓薇,陈慧兰.嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光[J].Journal of Semiconductors,1995,16(12):942-946. 被引量：1
-
6孙再吉.碳60制作的高性能场效应晶体管[J].半导体信息,2008,0(5):31-31.
-
7管玉国,戴国瑞.An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性[J].吉林大学自然科学学报,1996(3):56-58.
-
8宋瑛林,王瑞波.无规界面光限幅[J].激光与光电子学进展,1995,32(A01):81-81.
-
9姚江宏,邹云娟,张兴旺,陈光华.GaAs(100)衬底上C_60单晶膜的取向生长[J].物理学报,1997,46(3):481-485. 被引量：3
-
10王宏伟.明星元素——碳60[J].百科知识,2004(8):13-14.
;
