高线性度单结温度传感器的设计
-
1孙桂莲.超高压半导体器件—击穿电压超20KV的硅P—N结[J].电子工程师,1990(2):13-14.
-
2涛健.集成电路的修理和代用[J].家用电器,1995,23(1):11-11.
-
3邸建华.高功率GaN p—n结蓝色发光二极管[J].发光快报,1992,13(3):40-44.
-
4超宽带高线性度混频器[J].今日电子,2013(9):64-64.
-
5石仲斌.开路p-n结对近邻光电二极管特性的影响[J].固体电子学研究与进展,1994,14(2):186-189. 被引量:4
-
6鲍希茂,严海,茅保华.用硅化物作注入阻挡层形成浅结[J].Journal of Semiconductors,1993,14(6):368-374. 被引量:1
-
7郭慧,邬建根,沈孝良,屈逢源,金辅政,张建平,朱景兵.快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流[J].固体电子学研究与进展,1990,10(4):369-373. 被引量:4
-
8高线性度下变频SiGe混频器[J].今日电子,2009(8):71-72.
-
9范晓玲,刘俊成,刘云燕.ZnO基紫外探测器及关键技术研究[J].激光与红外,2009,39(5):468-472. 被引量:2
-
10郑畅.英飞凌LTE低噪声放大器和LNABank让智能手机数据速率极大提高[J].半导体信息,2014(1):8-8.
;