摘要
利用等离子体化学气相沉积制备了SnO_2导电薄膜,分析了膜的电学性能与沉积参数的关系,同时测得SnO_2膜具有负温阻特性,这是一种N型半导体膜。
The SnO2 thin film was prepared by Plasma Chemical Vapor Uepo ition. The relationship between the resistance of film and processing parameters was also described.
出处
《化学传感器》
CAS
1995年第4期277-279,共3页
Chemical Sensors
基金
华东冶金学院青年科学基金
关键词
导电薄膜
电学性质
制备
薄膜
二氧化锡
半导体
SnO2 thin film, Plasma Chemical Vapor Deposition, deposition rate.
