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用近自由电子近似法计算硅的能带
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摘要
本文用近自由电子近似法处理了硅晶体的电子能带结构,并通过与实验事实及其他计算方法所得的结果进行比较,证实了该方法的有效性。
作者
丁长庚
出处
《安庆师范学院学报(自然科学版)》
1995年第3期10-12,22,共4页
Journal of Anqing Teachers College(Natural Science Edition)
关键词
近自由电子近似
能带
硅
半导体
固体物理学
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
O481.1 [理学—固体物理]
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安庆师范学院学报(自然科学版)
1995年 第3期
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