掺(As,B)硅中的磷扩散
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1陈炳若.发射结磷扩散方法的改进[J].半导体技术,1998,23(2):32-34. 被引量:2
-
2李宫怀,刘继红.如何在闸流晶体管生产工艺上制造合格的氧化层[J].电子技术与软件工程,2015(2):125-125.
-
3冒慧敏,张东红.高浓度磷扩散的模拟[J].固体电子学研究与进展,1998,18(3):334-339.
-
4郭天雷,吴春瑜,刘红,尹常永,王辉,孙传邦.适用于电力器件的磷扩散模型[J].辽宁大学学报(自然科学版),2004,31(4):358-362.
-
5马桂艳,王建明,冯凌悍.基于水汽气氛磷扩散技术的高薄层电阻制备方法研究[J].电子设计工程,2016,24(6):64-66. 被引量:2
-
6朱健.改进工艺手段提高色敏传感器蓝、紫光特性[J].电子机械工程,1998(4):62-64.
-
7Hongzhao LI,Kyung KIM,Brett HALLAM,Bram HOEX,Stuart WENHAM,Malcolm ABBOTT.POCl3 diffusion for industrial Si solar cell emitter formation[J].Frontiers in Energy,2017,11(1):42-51. 被引量:1
-
8冒慧敏,任羽中.双极工艺模拟的校正及其应用[J].微电子学,1998,28(3):195-198.
-
9张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊.磷扩散氧化锌单晶的性质(英文)[J].Journal of Semiconductors,2008,29(9):1674-1678.
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10掺杂、扩散、离子注入工艺[J].电子科技文摘,2003,0(1):25-26.
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