AlxGa1—xAs中注入Be的扩散与Al浓度及退火温度的关系
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1王宝林,李朝木,曾正清,李峰.改进型GaN材料的掺杂工艺研究[J].真空与低温,2009,15(4):233-237.
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2叶楠,陈长春.梯度掺杂与分层退火对AZO薄膜结构与性能的影响[J].电子元件与材料,2011,30(10):27-30. 被引量：1
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3汤引生,蔡波.Mn-Al共掺杂ZnO粉末的结构研究[J].商洛学院学报,2014,28(6):41-43. 被引量：1
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4李世平,李玲.溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜的光电特性[J].半导体技术,2006,31(10):733-737. 被引量：4
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5陈国鹰,马祖光.具有GRIN-SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析[J].光电子．激光,1999,10(6):501-504. 被引量：1
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6邓意峰,刘浩,贾卓,邓宏.Al掺杂ZnO紫外探测器的快速响应技术[J].太赫兹科学与电子信息学报,2014,12(5):771-774. 被引量：1
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7曾正清,李朝木,王宝林,李峰.GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究[J].真空与低温,2010,16(2):108-112. 被引量：1
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8陆荣,郑雪芹,安晶,董锐.聚乳酸微球的制备及应用[J].工程塑料应用,2009,37(2):44-47. 被引量：4
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9韦敏,邓宏,邓雪然.ZnO基紫外光电探测材料研究[J].电子元件与材料,2012,31(9):82-82. 被引量：1
