简单N2气掺杂MBE法生长P型导电ZnSe和ZnSSe
-
1晓晔.MBE法在GaAs{111}衬底上生长CdSe[J].电子材料快报,1998(11):16-17.
-
2庶民.MBE法生长SiC[J].电子材料快报,1998(11):17-18.
-
3敏键.MBE法在GaAs上生长CdTe的择优取向[J].电子材料快报,1996(8):2-2.
-
4苏宇吹.用MBE法在Si异质结上生长Si1—xGex[J].电子材料快报,1998(7):15-16.
-
5晓晔.MEB法Si(111)上的GaAs初始生长[J].电子材料快报,1996(2):15-15.
-
6孙涛,黄锦圣,张伟力,柴路,王清月,苏荫强.ZnSSe双光子吸收光电二极管的自相关器[J].光学学报,2003,23(2):255-256. 被引量:1
-
7朱顺才.MBE法生长的调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构材料的输运特性研究[J].半导体情报,1995,32(1):37-41.
-
8晓晔.MBE法生长高质量HgCdTe/GaAs(211)B[J].电子材料快报,1995(11):17-18.
-
9Microchip多用途开发板MEB Ⅱ[J].世界电子元器件,2015(7).
-
10王杰,俞根才,诸长生,王迅.宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究[J].物理学报,1995,44(9):1471-1479. 被引量:2