超高二维空穴气迁移率

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作者未休

出处《电子材料快报》 1995年第1期4-5,共2页

关键词 SIGE 硅二维空穴气晶体生长迁移率

1焦东升,王红艳.SiGe和SiSe分子基态的结构和解析势能函数(英文)[J].四川大学学报（自然科学版）,2009,46(4):999-1004. 被引量：2
2彭雨辰,朱晓旋,李玉山,龚晓钟.高能球磨法制备硅锗合金[J].中国材料科技与设备,2011,7(1):56-57.
3刘佳磊,梁仁荣,王敬,徐阳,许军,刘志弘.Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition[J].Tsinghua Science and Technology,2007,12(6):747-751. 被引量：3
4ZHANG Weilian, NIU Xinhuan, CHEN Hongjian, ZHANG Jianxin, SUN Junsheng, and ZHANG EnhuaiSemiconductor Material Institute, Hebei University of Technology, Tian jin 300130, China.Bulk single crystal growth of SiGe by PMCZ method[J].Rare Metals,2003,22(3):197-201. 被引量：3
5马通达,屠海令,王敬,陈长春,黄文韬.低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散[J].矿业研究与开发,2003,23(S1):194-195.
6方春玉,蔡坤煌.氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底[J].光谱实验室,2009,26(6):1516-1518. 被引量：1
7吴小山,谭伟石,蒋树声,吴忠华,丁永凡,曾鸿祥.低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)[J].高能物理与核物理,2003,27(8):739-743. 被引量：3
8成步文,姚飞,薛春来,张建国,李传波,毛容伟,左玉华,罗丽萍,王启明.带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态[J].物理学报,2005,54(9):4350-4353. 被引量：3

电子材料快报

1995年第1期

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