SiC单晶生长现状
-
1李自弘,方瑞斌,虎志明.升华法制备C_(60)的HPLC研究[J].云南民族学院学报（自然科学版）,2000,9(1):32-33.
-
2孙秀明,郑瑞生,鲁枫,武红磊,刘文,敬守勇.改进的升华法制备氮化铝单晶体(英文)[J].人工晶体学报,2007,36(5):1160-1165.
-
3刘长友,介万奇,何克.ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制[J].功能材料,2007,38(11):1759-1761. 被引量：1
-
4胡章文,杨保俊,单承湘.氢氧化镁阻燃剂研究进展[J].轻金属,2006(7):42-46. 被引量：15
-
5姜守振,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,胡小波,徐现刚,王继杨,蒋民华.沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶[J].人工晶体学报,2007,36(1):14-17.
-
6杨丽.三聚氰胺的定量分析[J].口腔护理用品工业,2010,20(3):47-48.
-
7高玉强,彭燕,李娟,陈秀芳,胡小波,徐现刚,蒋民华.以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究[J].人工晶体学报,2010,39(2):287-290.
-
8王吉丰,黄锡珉.用改进升华方法生长ZnSe单晶[J].人工晶体学报,1990,19(3):212-217. 被引量：5
-
9李娟,胡小波,姜守振,陈秀芳,李现祥,王丽,徐现刚,王继扬,蒋民华.AlN单晶生长研究进展[J].人工晶体学报,2006,35(1):177-182. 被引量：2
-
10张留明,林建新,倪军,林炳裕,王榕,魏可镁.钌基氨合成催化剂的制备方法[J].化学进展,2011,23(11):2225-2232. 被引量：7
;
