摘要
介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。
This paper introduces the development of reliability research on GaAs devices and MMICs. The main failure modes and mechanisms for GaAs MES FET,HEMT and MMIC,and their lifetimes under the typical channel temperature are given here.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期381-390,共10页
Research & Progress of SSE
关键词
可靠性
失效模式
失效机理
砷化镓
半导体
Reliability Failure Mode Failure Mechanism Average Lifetime GaAs Devices MMICs
