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亚微米BiCMOS工艺技术
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摘要
BiCMOS是双极速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主,因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS的技术显得愈发相似。本文列举了0.8μm和0.5μm的技术论点。BiCOS电路与CMOS相比,成本稍高但其性能提高一倍。
作者
何小乐
洛斯
出处
《上海微电子技术和应用》
1995年第2期54-56,62,共4页
关键词
亚微米
铋
CMOS
工艺技术
双极晶体管
分类号
TN322.803 [电子电信—物理电子学]
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上海微电子技术和应用
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