摘要
利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不是严格取向一致的完整单晶膜,而是存在着许多小角晶界的镶嵌晶体,并推导出了其中镶嵌块的晶向分布函数和晶格应变分布函数,模拟出了GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线,由此曲线计算出了GaAs/Si外延层中的位错密度。同时还得到了Si衬底上GaAs外延层中镶嵌块的大小。为分析高失配外延材料的双晶衍射摇摆曲线提供了新的方法。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1995年第11期1175-1180,共6页
Science in China(Series A)
