摘要
利用合成平面分析技术温度(90℃≤T≤150℃)和电场(E_(60%1mA/cm^2)≤E≤E(1mAcm^2)的函数研究10^(-2)≤f≤10~7Hz频率范围内的ZnO-Bi_2O_3变阻器中的晶界交变电性能。在阻抗平面里,最佳地表示了这种高温/交变场特性。包括与晶界有关的非线性电阻器在内的集中参数等效电路表示法,同以前文献所报道的方法完全一致。可以借助晶界压敏所出现的种种现象来解释由一个电阻器和一个电容器构成的晶界等效电路表示法。
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1989年第2期43-47,共5页
Piezoelectrics & Acoustooptics
