摘要
报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。
The fabrication and experimental results of a high brightness GaAlAs/GaAs double heterojunction red LED are reported.Amaxium luminous intensity of about 500 mcd for this device was obtained at injection current of 20 mA.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期343-347,共5页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
半导体器件
发光二极管
双异质结
发光强度
Semiconductor Devices
LEDs
Red LEDs
GaAlAs/GaAs DH
Luminous Intensity
