摘要
据根金属─半导体─金属（ＭＳＭ）光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数值计算方法分析了不同距离（Ｌ）和不同掺杂浓度（ＮＤ）与暗电流的关系，为设计低暗电流ＭＳＭ光电探测器提供了依据。
The formula for dark current of MSM photodetectors is derived based on the band structure and the model of thermoelectronic emission associated with diffusion theory. The dependence of dark current on distance L between electrodes and doping density ND is analyzed in term of numerical calculation.It is of benefit for designing GaAs MSM-PD with low dark current.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期336-338,342,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金
上海交通大学科技基金
关键词
光电器件
光电二极管
特性测试
暗电流
Optoelectonic Devices
Photodetectors
Characteristics Measurement
Dark Current
