直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响

ON THE EXISTSENCE OF WEAK SOLUTIONS TO A SYSTEM OF SEMICONDUCTOR EQUATIONS WITH AVALANCHE GENERATION

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。