摘要
大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件,光致诱蚀无显影气相DFVP光刻具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将DFVP运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚SiO_2层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对DFVP机理作了进一步研究,从而研究了两种新的光致诱蚀剂;已大大缩短曝光时间(约1分钟),并能刻蚀含杂质镓且厚达1.4μm的SiO_2层;对腐蚀设备进行了大的改进,使其能适应生产的需要。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期13-15,共3页
Semiconductor Technology
基金
国家自然科学基金