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电阻栅MOSFET及其应用

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摘要 介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。
作者 张万鹏
机构地区 复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期59-61,共3页 Semiconductor Technology
关键词 伏安特性 互补结构 栅场效应晶体管 电阻
分类号 TN386.203 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
半导体技术
1995年 第3期

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