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采用高能12MeV电子辐照技术制造快速可控硅
被引量：
4
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摘要
报道了采用最佳能量（高能１２ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅，解决了低能（≤４ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅热稳定性差的难题，这对我国半导体器件的电子辐照推广应用将有一定的经济价值。
作者
杭德生
机构地区
南京大学加速器研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期44-46,共3页
Semiconductor Technology
关键词
12MeV
电子辐照
快速可控硅
热稳定性
分类号
TN342.6 [电子电信—物理电子学]
TN304.051 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1995年 第3期
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