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SiC材料与器件 被引量:4

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摘要 SiC材料在用作特殊的高温大功率和高速器件方面引起关注是由于它独特的物理和电学性质。本文介绍了SiC的基本特性,SiC薄膜的CVD法和溅射法生长技术,详细地报导和讨论了SiC器件的最新进展,并指出存在的问题及发展趋势。
作者 彭军
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期33-40,共8页 Semiconductor Technology
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