InGaAs／InAlAs／InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀被引量：1

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摘要ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...

作者梁玉英

出处《半导体情报》 1995年第2期47-50,共4页 Semiconductor Information

关键词异质结场效应晶体管 HFET 腐蚀铟镓砷铝磷

同被引文献3

1KELLER U,MILLER D A B,BOYD G D,et al.Solidstate low-loss intracavity saturable absorber for Nd:YLF lasers:An A-FPSA[J].Opt Lett,1992,17(7):505-507.
2KELLER U,et al.Broad band saturable absorber for 10-fs pulse generation[J].Opt Lett,1996,21(10):743-745.
3李效白.GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术(续)[J].半导体情报,2000,37(5):5-11. 被引量：2

1陈宏江,杨瑞霞,武一宾,杨克武.GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究[J].半导体技术,2005,30(10):22-25.
2杨瑞霞,陈宏江,武一宾,杨克武,杨帆.GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构的选择湿法腐蚀[J].电子器件,2007,30(2):384-386. 被引量：1

半导体情报

1995年第2期

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