用低能Ar~＋离子束溅射得到p－InGaAs极低电阻欧姆接触的一种可靠的制造技术

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摘要对ｐ－ＩｎＧａＡｓ的Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ欧姆接触提供了一种新的制造技术，即在淀积金属之前采用阳极氧化和低能Ａｒ＾＋离子溅射腐蚀。从ＲＴＰ之后提供的具有极好均匀性和一致性的低电阻率接触看好，这种清洗工艺优于湿法化学预清洗。

作者蔡克理

出处《半导体情报》 1995年第2期55-58,共4页 Semiconductor Information

关键词氩离子束溅射 p-InGaAs 欧姆接触

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半导体情报

1995年第2期

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