摘要
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流I_c和集电极-发射极问电压V_CE的函数关系研究了集电区含InGaAsP层、基区为Zn高掺杂的小尺寸InP/InGaAsDHBT的高性能。结果表明,减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高,0.8μm发射极金属条宽的DHBT在I_c=4mA的小电流时,具有超出超高的f_(max)和f_T,其数值分别为267GHz和144GHz,f_(max)的增加归结为基区电阻和降低了的Bc结电容乘积的降低。
出处
《半导体情报》
1995年第2期1-5,共5页
Semiconductor Information