摘要
报道了一种称作“先进的SIVFET”的FET结构(先进的源区通孔FET)。“SIVFET”(源区通孔FET) ̄[1]是一种新型的FET,其每个源电极都通过通孔与40μm厚的背面电镀热沉金属相连接地,以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻,芯片厚度要小达30μm。“先进的SIVFET”的改进结构包含了一种选择隐埋PHS(电镀热沉)用以代替背面的厚金层。在这种FET中,由于有源层在器件工作时会产生热量,所以有源层下面的基片厚度设定为30μm,并且在其下面埋入了70μm厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度,芯片其它部分的厚度设定为100μm。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率,并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示,当这种1350μm栅宽的FET处在最大沟道温度(42.1℃)时,具有极低的热阻(16℃/W)。其射频特性为,在V_(ds)=7V时,对应于1dB功率压缩点下的功率输出高达27.9dBm,功率附加效率为32%;当频率为18GHz时,线性增益为8.3dB。该器件同时也具有很优异的功率密度,当V_(ds)=8V时,其值为0.54W/mm。在机械可靠性方面这种结构也?
出处
《半导体情报》
1995年第3期59-65,共7页
Semiconductor Information