在β－SiC薄膜上热生长SiO＿2薄膜的高频电容－电压特性

研究了干和湿条件下，在β－ＳｉＣ薄膜上生长的ＳｉＯ＿２薄膜。β－ＳｉＣ薄膜异质外延是生长在正晶轴和与晶轴偏离２°的两种（００１）硅衬底上。在１０ｋＨｚ～１ＭＨｚ的范围内，测量了金属－氧化物－半导体结构的电容－电压和电导－电压特性。这些结果表明，对于偏晶轴样品，界面的陷阱密度和有效固定氧化物电荷密度，一般比正晶轴样品低一些。