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HgCdTe块晶不完整性的X射线双晶衍射研究

X-Ray Double-Crystal Diffraction Study on Crystal Imperfections in Hg_(0.8)Cd_(0.2) Te Bulk Crystal
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摘要 利用高精度X射线双晶衍射术,研究了碲熔剂法生长的Φ15mm的Hg0.8Cd0.2Te块晶片的结构不完整性,发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显,但它们的晶格不完整性沿径向的分布具有共同特征─呈W形,这表明晶格不完整性与晶体生长或退火处理过程中的应力场有关. Abstract The imperfection in the Φ15mm wafers of Hg(0.8)Cd(0.2)Te bulk crystal grown by the Te-solvent method has been studied via high resolution X-ray double-crystal diffractometry. For crystals grown by almost the same process, big differences in crystal imperfections have been noticed. A common characteristic W-type distribution of imperfections along wafer diameter has been revealed,indicating the close relation between lattice imperfections and stress field during the crystal growth and post-annealing treatment.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期673-676,共4页 半导体学报(英文版)
基金 中国科学院重大基础研究基金
关键词 HGCDTE X射线 双晶衍射 外延生长 Crystal growth X ray diffraction analysis
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参考文献2

  • 1方家熊,第九届全国红外科技交流会论文集,1990年
  • 2徐景阳,物理,1988年,17卷,42页

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