摘要
4.3 LBT 的一般设计考虑和实验与理论的比较依照以上精确模型所给出的有关公式,LBT 的一般设计程序如下。在直流设计方面主要考虑三个特性参数,即:V_P,I_P,和 V_V,对于一给定的双极工艺,参数 I_S,β_(FM),β_(RM)和 N_A 为已知的,再加上固定的 I_(BO),则通过(4.16)和(4.17)两式可以求出 I_P 来。一般说,对一给定的 I_P 值,β_(FM)愈大所需的 I_(BO)愈小。V_P 则可通过(4.21)到(4.23)式计算出来。对于一特定的 V_V,用已知常数值和 I_(BO)值,通过(4.27)和(4.28)式可计算出 MOS 管的 Z/L 比值。一般来说,若 I_P,,V_P和 V_V 一旦给定,R_N 可通过近似关系 R_N≌(V_V—V_P)/I_P来进行估算。
