a-Si:O:H钝化膜被引量：1

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摘要本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.

作者孙金坛邹永庆

机构地区合肥工业大学应用物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期13-15,共3页 Semiconductor Technology

关键词半导体钝化膜 a-Si:O:H

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第1期

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