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MNOS晶体管的存储特性及其测量方法
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摘要
本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.
作者
钟雨乐
赵守安
机构地区
暨南大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期25-27,37,共4页
Semiconductor Technology
关键词
MNOS晶体管
存储特性
测量
分类号
TN386.107 [电子电信—物理电子学]
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