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硅的阳极氧化研究──多孔硅的制备及其发光机制
被引量:
1
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摘要
评介了阳极氧化方法制备多孔硅(PorousSilicon)的工艺,讨论了多孔硅的形貌及发光机制。
作者
白新德
柳百新
马春来
姜浩
蓝爱冬
机构地区
清华大学材料科学与工程系
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第10期15-17,共3页
Materials Protection
关键词
硅
阳极氧化
半导体
多孔硅
制备
发光机制
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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被引量:3
材料保护
1995年 第10期
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