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用MOS-C瞬态c-t特性求解少子寿命的几种方法

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摘要通过观测MOS电容由深耗尽到反型层的形成过程,可以测量少数载流子的寿命.其方法就是在MOS电容的栅极上加上足能使表面反型的阶梯电压.起初,多数载流子在半导体表面处于非平衡的深耗尽状态,随后,耗尽层内将产生电子空穴对.在电场的作用下。

作者王彦才

机构地区八七八厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期53-58,共6页 Semiconductor Technology

关键词载流子 MOS 寿命 c-t特性

分类号 TN301 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第1期

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