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真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

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摘要 本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。
作者 洪正平 梁伟
出处 《德州师专学报》 1995年第4期29-31,共3页
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