真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响
摘要
本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。
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1孙国胜,夏传钺,郑义霞,孔光临.a-Si∶H中第二类亚稳缺陷的观察[J].Journal of Semiconductors,1994,15(5):304-311.
-
2王忠安.关于a-Si:H电池稳定性的实验[J].半导体技术,1992,8(1):17-21.
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3任韧,陈长乐,徐进,袁孝,金克新,王永仓,宋宙模,魏炳波.短脉宽XeCl激光器的实现及光脉冲参数的测量[J].中国激光,2004,31(9):1036-1040. 被引量:2
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4胡志华,刘祖明,陈庭金,廖显伯,廖华.多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化(英文)[J].云南师范大学学报(自然科学版),2002,22(2):9-12. 被引量:1
-
5全宏俊.光纤中毫微微秒暗孤子波[J].激光杂志,1996,17(4):163-166.
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6郝延明,蔡宏琨,周严,林波,张德贤,林列.温度交变环境对薄膜太阳电池相关层材料性能的影响[J].功能材料,2004,35(z1):1870-1872. 被引量:1
-
7王忠安,魏笑竹,王智超.Staebler-Wronski效应的实验研究[J].太阳能学报,1993,14(1):96-100.
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8曾庆赣.铁心磁致伸缩引起的变压器油箱体积膨胀收缩振动[J].变压器,2017,54(4):16-20. 被引量:5
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9刘宗顺,赵德刚,朱建军,张书明,段俐宏,王海,史永生,刘文宝,张爽,江德生,杨辉.高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析[J].Journal of Semiconductors,2007,28(4):592-596. 被引量:2
-
10周心明,郑家贵,曾家玉,黄天荃,邱淑蓁,蔡亚平,徐晓菲,冯良桓.Si:H薄膜的微结构及输运性质[J].太阳能学报,1989,10(1):82-88. 被引量:3