ECR源Cl2等离子体蚀刻Si引起的损伤特性
-
1一丁.Al的螺旋波等离子体蚀刻特点[J].等离子体应用技术快报,1994(11):16-17.
-
2晓青.负离子等离子体蚀刻硅[J].等离子体应用技术快报,1996(10):6-7.
-
3宏民.螺旋波等离子体蚀刻装置研制[J].等离子体应用技术快报,1995(3):8-10.
-
4李民.在ECR等离子体的选择性SiO2/Si蚀刻中添加氢气的效应[J].等离子体应用技术快报,1997(6):17-18.
-
5Chap.,BN,张一鸣.等离子体蚀刻基础(上)[J].国外核聚变与等离子体应用,1992(1):61-75.
-
6Chap.,BN,张一鸣.等离子体蚀刻基础(下)[J].国外核聚变与等离子体应用,1992(2):60-72.
-
7华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆[J].集成电路应用,2017,34(4):90-90.
-
8邸建华.氘退火对SiO2/Si(100)界面陷阱的影响以及超薄膜SiO2的电子自旋共振[J].发光快报,1993,14(6):50-52.
-
9乐生.ECR等离子体和锗的热氧化机制[J].等离子体应用技术快报,1995(7):17-18.
-
10300mm圆片等离子体蚀刻系统发展面临挑战[J].电子产品世界,1998,5(8):56-57.
;