SiO2的TICS低温CVD
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1本间哲哉,村尾幸信,陈学珍.采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜[J].微电子技术,1994,22(4):12-15.
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2联发科技发布全球首款四核智能机SoC MT6589[J].EDN CHINA 电子技术设计,2013(2):52-53.
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3蔡积庆（译）.PCB用层间绝缘膜和高功能玻纤布[J].印制电路信息,2011(12):26-31.
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4丁宝峰.关于运输信息和控制系统（TICS）的工作文件：世界范围和进展与经验[J].电联信息,1997(1):46-55.
-
5杨晓婵.日本Ulvac公司开发层间绝缘膜腐蚀技术[J].现代材料动态,2004(7):13-13.
-
6无线电通信[J].电子科技文摘,2003,0(8):63-64.
-
7张传林,林金耀,贾维嘉.Bandwidth Reservation Using Velocity and Handoff Statistics for Cellular Networks[J].Journal of Computer Science & Technology,2006,21(6):1031-1039.
-
8黄毅华,江东亮,张景贤,林庆玲,黄政仁.Sintering of transparent Nd:YAG ceramics in oxygen atmosphere[J].Journal of Rare Earths,2013,31(2):153-157. 被引量：1
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9龚永林.新产品与新技术(38)[J].印制电路信息,2010(2):70-70.
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10处理机、微处理机、多机处理系统[J].电子科技文摘,1999(10):116-117.
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