电荷陷阱对器件稳定性的影响和监测电荷陷阱密度方法

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摘要本文论述了电荷陷阱对器件稳定性的影响;认为在器件制造过程中监测电荷陷阱密度是很重要的.本文介绍了雪崩注入法测量电荷陷阱密度的方法,并给出了测量结果.

作者顾瑛张德胜张民强

机构地区西安电子科技大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期26-27,共2页 Semiconductor Technology

关键词器件稳定性电荷陷阱陷阱密度

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第2期

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