腐蚀技术的新动向
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1李效白.GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术(续)[J].半导体情报,2000,37(5):5-11. 被引量：2
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2曾庆明,冯国进,庞忠智.硅微波晶体管亚微米全干法腐蚀技术[J].半导体情报,1990(3):1-3.
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3陆康宁,刘群建.光化学反应要素—基材反射率[J].彩色显像管,1997(3):4-5. 被引量：1
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4徐建忠.PCS光纤星形耦合器[J].光通信技术,1990(2):8-15.
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5石志东,董小鹏,唐明珏,李杰.D形光纤样品制备及其Bragg光栅的实验测量[J].上海大学学报（自然科学版）,2007,13(4):415-420. 被引量：1
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6李小锋.平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺[J].电子制作,2017,25(9):52-53. 被引量：1
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7物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底[J].人工晶体学报,2014,43(12):3224-3224. 被引量：1
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8徐运华,张松,谢文青,亢勇,方家熊.焦平面输入电路研究[J].红外与激光工程,2006,35(5):555-558. 被引量：6
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9邓智勇,阮云国,李勇.具有L波段单脉冲跟踪能力的L/S双波段共用波纹喇叭天线[J].电波科学学报,2017,32(1):44-49. 被引量：3
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