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MOS结构二氧化硅层中电子热化与击穿

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摘要本文讨论了MOS结构二氧化硅膜中电子热化现象的实验证据,表明:当氧化物电场≥5MV/cm时,注入到二氧化硅膜中的电子逐渐地热化。热电子在二氧化硅膜中产生新的电荷陷阱中心,当电荷陷阱中心的密度增大到一定程度时,导致二氧化硅膜的电击穿。

作者张积之

机构地区上海铁道学院

出处《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第2期38-43,共6页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

基金上海铁道学院科技发展基金资助的课题

关键词 MOS结构二氧化硅电子热化击穿

分类号 TN386.103 [电子电信—物理电子学]

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电子产品可靠性与环境试验

1995年第2期

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