GaAs MESFET直流特性退化的失效分析

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摘要 GaAs MESFET直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化。笔者用结构敏感参数电测法和C-V法进行失效定位和失效分析,为上述失效原因提供了证据。

作者费庆宇来萍

机构地区电子部五所

出处《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第6期25-29,共5页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词砷化镓 MESFET 直流特性退化失效分析

分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]

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电子产品可靠性与环境试验

1995年第6期

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