Si离子注入时半绝缘GaAs晶体中硼对其电活性的影响
出处
《发光快报》
CSCD
1995年第1期43-46,共4页
-
1张纪才,戴伦,秦国刚.Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响[J].红外与毫米波学报,2002,21(5):342-346.
-
2杨慧,张恩霞,张正选.Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)[J].Journal of Semiconductors,2007,28(3):323-326.
-
3成步文,李国辉,姬成周,王文勋.MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1992,28(4):461-466.
-
4孙贵如,李国辉,姬成周,张燕文.MeV级高能Si离子注入GaAs的HVEM研究[J].电子显微学报,1993,12(2):148-148.
-
5茅文英,孙全,褚君浩,赵军,王令名.激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性[J].红外与毫米波学报,2001,20(4):259-262. 被引量：1
-
6Li Bingsheng Zhang Chonghong Yang Yitao Zhou Lihong Zhang Honghua.Charge-sensitive Deep Level Transient Spectroscopy of Helium-ion-irradiated Silicon on Thermal Annealing[J].近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版,2008(1):58-59.
-
7常勇,褚君浩,唐文国,沈文忠,汤定元,叶润清.Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(4):258-263. 被引量：1
-
8山风(编译).聚合物为可见光显示增加色彩[J].激光与光电子学进展,2006,43(11):10-11.
-
9李光平,汝琼娜,李静,杨瑞霞.多步热处理对未掺杂LEC SI-GaAs特性的影响[J].固体电子学研究与进展,1996,16(1):64-67.
-
10苏里曼.InP异质结晶体管[J].半导体情报,1992,29(6):18-21.
