真空紫外荧光强度测试台
出处
《发光快报》
CSCD
1995年第1期7-10,共4页
-
1曾庆城,王水凤.紫外荧光无损检测法:φ76.2/100mm晶片洁净度评价方法的探讨[J].电子材料(机电部),1994(3):6-9. 被引量:2
-
2X、γ射线及紫外仪器[J].中国光学,1998(4):95-95.
-
3王锦荣.紫外荧光测硫仪校准方法探讨[J].计量与测试技术,2016,43(9):35-36. 被引量:2
-
4朱凤芝,王凤桐.基于紫外荧光信号的人民币真伪鉴别方法的研究[J].河北工业大学学报,2008,37(1):114-118. 被引量:3
-
5聂二勇,刘东来,张云森,杨治美,刘俊刚,龚敏,孙小松.Zn-ZnO纳米结构的制备及退火条件对其光学性能的影响[J].半导体光电,2010,31(4):545-549.
-
6魏玮,刘明,曲盛薇,张庆瑜.Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响[J].物理学报,2009,58(8):5736-5743. 被引量:1
-
7叶清杰.Eu3+激活的钨酸盐荧光粉的制备及其发光性质的研究[J].化工管理,2013(6):162-163.
-
8孙丽晶,孙正昊,向鹏.化学溶解法制备ZnO纳米管[J].长春工业大学学报,2012,33(4):473-476. 被引量:2
-
9刘东来,聂二勇,张云森,袁超,沈晓帆,杨治美,刘俊刚,龚敏,孙小松.电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究[J].半导体光电,2011,32(3):375-379. 被引量:3
-
10杜晨光,孙利群,丁志田.利用晕苯增强CCD紫外响应的实验研究[J].光学技术,2010,36(5):753-757. 被引量:11
;