C轴取向AIN薄膜的强电特性分析

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摘要本文报导了用直流平面磁控溅射法低温生长 C 轴择优取向 A1N 薄膜作介质、并构成Au-A1N-Au 结构的直流电导和击穿特性。用普尔-弗伦凯尔电导理论说明了这种薄膜直流电导的实验结果,并用统计分析方法得出这种薄膜的抗电强度实测平均值为3.4～3.9MV/cm,与理论计算结果相符合。此外,还得到这种薄膜的抗电强度随薄膜厚度的增加而减少的结果。

作者刘付德曲喜新

机构地区西安交通大学电子科技大学

出处《仪表材料》 EI CAS CSCD 1989年第6期343-346,342,共5页

关键词 ALN薄膜绝缘薄膜强电特性

分类号 TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程]

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