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X射线分光晶体TAP生长动力学 被引量:1

Growth Dynamics of Thallium Acid Phthalate Single Crystal
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摘要 采用静态体现显微法测量在饱和点为322.15K下水溶液中TAP晶体各显露面的生长速率R,然后将实验数据用电子计算机归纳出R与σ的关系。用BCF面扩散模型对生长机理进行了探讨,认为TAP晶体的水溶液生长机制是面扩散起主导作用。 The growth rate R of thallium acid phthalate(TAP) crystal on each show-up faces in aqueous solution at 322.1 5 K has been determined by stationary stereoscopic microscope method. The relationship between R and σ has been obtained from the experimental data by computer. The mechanism of crystal growth was explored using BCF surface diffusion model. The results show that it is surface diffusion mechanism that plays a key role in the growing of TAP single crystal in aqueous solution.
机构地区 福州大学化学系
出处 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第4期88-94,共7页 Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition)
基金 福建省自然科学基金
关键词 邻苯二甲酸氢铊 晶体 生长速率 面扩散 斜方晶系 thallium acid phthalate, single crystal,growth rate,surface diffusion
  • 相关文献

参考文献1

  • 1林景臻,张贞柯,关铁堂,张君贤,林树坤.邻苯二甲酸氢铊(TAP)单晶的培养[J]人工晶体,1983(02).

同被引文献5

引证文献1

二级引证文献2

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