a-Si:N FET的研制

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摘要用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.

作者冯玉春罗晋生海国强

机构地区西安整流器研究所西安交通大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期35-37,共3页 Semiconductor Technology

关键词 α-Si:H FET 非晶硅场效应晶体管

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半导体技术

1989年第3期

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