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从离子注入到离子束合成──离子束领域的重大进展

AN IMPORTANT PROGRESS IN ION BEAM SCIENCE AND TECHNOLOGY─FROM ION IMPLANTATION TO ION BEAM SYNTHESIS
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摘要 本文综述了离子束科学技术领域新的重大进展─从作为半导体掺杂手段的低剂量(10 ̄(11)~10 ̄(16)/cm ̄2)离子注入到高剂量(10 ̄(17)~10 ̄(18)/cm ̄2)离子注入以合成(IBS)新材料。文中讨论了高剂量注入的物理效应,利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及离子束合成的多种应用。 The subject of this paper is a review of the recent important progress in ion beam science andtechnology─from low dose(10 ̄(11)~10 ̄(16)/cm ̄2)ion implantation as a doping method of semicon-ductors to ion beam synthesis (IBS) by high dose(10 ̄(17)~10 ̄(18)/cm ̄2) ion implantation as a means offorming new materials. The physical effects of high dose ion implantation,the formation process ofSIMOX(Separation by Implanted Oxygen) materials,and various applications of ion beam synthesisare discussed.
出处 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1995年第1X期39-48,共10页 Journal of Functional Materials and Devices
关键词 离子注入 离子束合成 SIMOX 离子束 Ion implantation ion beam synthesis separation by implanted oxygen(SIMOX)
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参考文献3

二级参考文献4

  • 1林成鲁,中国科学.A,1990年,9卷,976页
  • 2竺士炀,第三届VLS1材料和工艺表征技术国际会议,1994年
  • 3Mao Yoryen,IEEE Trans Nucl Sci,1987年,34卷,6期,1692页
  • 4Tsao S S,IEEE Trans Nucl Sci,1987年,34卷,6期,1686页

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